半導(dǎo)體制造中的石墨制品大揭秘
半導(dǎo)體制造中的石墨制品大揭秘
在半導(dǎo)體制造的國際里，石墨制品扮演著至關(guān)重要的人物。高純石墨制品在第三代半導(dǎo)體單晶生長設(shè)備中有著廣泛的運(yùn)用，尤其是在碳化硅（SiC）單晶生長爐中。
SiC單晶生長的石墨坩堝和加熱器
在制備SiC單晶的過程中，PVT（物理氣相傳輸）方法是最老到和常用的技術(shù)。這種方法運(yùn)用感應(yīng)線圈加熱，經(jīng)過渦流作用使高密度石墨發(fā)熱體升溫。碳化硅粉體被填滿在石墨坩堝的底部，而碳化硅籽晶則粘結(jié)在坩堝蓋的內(nèi)部。經(jīng)過調(diào)節(jié)外部石墨氈的溫度，可以使碳化硅質(zhì)料處于高溫區(qū)，而籽晶則處于低溫區(qū)。
在這個(gè)過程中，高純石墨坩堝、碳纖維硬氈、籽晶托等都是必不可少的。這些石墨制品不只需求高純度，還要可以接受高溫而不污染SiC質(zhì)料和晶體。為了避免石墨在高溫下遭到塵埃和雜質(zhì)的影響，一般會在它們的表面涂上高純度、高細(xì)密的涂層。
外延生長的石墨盤
外延工藝是指在單晶襯底上生長一層與襯底具有相同晶格擺放的單晶材料。在硅和碳化硅的外延工藝中，晶片一般承載在石墨盤上。這些石墨盤有桶式、煎餅式和單晶片等多種類型。
離子注入設(shè)備的石墨部件
離子注入是一種改變材料表層物質(zhì)特性的工藝，經(jīng)過將硼、磷、砷等離子束加速到必定能量，然后注入晶圓材料的表層內(nèi)來實(shí)現(xiàn)。離子注入設(shè)備的部件需求具有優(yōu)異耐熱性、導(dǎo)熱性和低雜質(zhì)含量的特性。高純石墨因其超卓的物理功用，是這些部件的理想挑選。
等離子蝕刻設(shè)備的石墨部件
等離子蝕刻是一種在單晶襯底上生長一層與襯底具有相同晶格擺放的單晶材料的技術(shù)。在這個(gè)過程中，晶片相同需求承載在石墨盤上。石墨盤的類型有桶式、煎餅式和單晶片等多種挑選。
柔性石墨箔
柔性石墨箔由天然脹大石墨制成，在半導(dǎo)體運(yùn)用中有著廣泛的運(yùn)用。它可以提高體系和工藝的功用，下降能耗并保證可靠性。柔性石墨箔可用于半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備中的保溫筒、隔熱材料、柔性層、密封材料等各種零部件。
總歸，石墨制品在半導(dǎo)體制造中扮演著至關(guān)重要的人物，無論是SiC單晶生長、外延工藝仍是離子注入和等離子蝕刻，都離不開這些高功用的石墨材料。
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