瑞士制造的第一塊氧化鉬芯片的性能與石墨烯相當(dāng)

瑞士制造的第一塊氧化鉬芯片的性能與石墨烯相當(dāng)

介紹瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）的科學(xué)家聲稱他們已經(jīng)制造了第一個(gè)原型氧化鉬芯片，該芯片的性能在實(shí)驗(yàn)中很好，這證實(shí)了其在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域的突出表現(xiàn)。

據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)絡(luò)12月6日?qǐng)?bào)道，位于瑞士洛桑的聯(lián)邦理工學(xué)院（EPFL）總部聲稱已經(jīng)制造了第一個(gè)原型氧化鉬芯片。該芯片的性能在實(shí)驗(yàn)中很好，這證實(shí)了其在半導(dǎo)體芯片M領(lǐng)域的優(yōu)異性能。這意味著商業(yè)氧化鉬芯片離現(xiàn)實(shí)更近了一步。

今年年初，學(xué)校公布了鉬的潛在性質(zhì)，引起了人們對(duì)這種新材料的關(guān)注。研究人員說(shuō)，鉬可以用來(lái)制造更小、更節(jié)能的芯片。這種材料不僅性能優(yōu)于硅，而且在某些方面也優(yōu)于石墨烯。它有望成為下一代半導(dǎo)體材料的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

該原型芯片由該大學(xué)的納米電子學(xué)和結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室（Lanes）開(kāi)發(fā)。研究人員通過(guò)將兩到六個(gè)晶體管串聯(lián)起來(lái)獲得了原型芯片，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該原型芯片能夠進(jìn)行基本的二進(jìn)制邏輯運(yùn)算。

納米電子學(xué)和結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室主任安德拉斯·基思說(shuō)，鉬是一種具有巨大潛力的新材料，這一實(shí)驗(yàn)已經(jīng)證明了這一點(diǎn)。他說(shuō)，鉬的主要優(yōu)勢(shì)在于它有助于進(jìn)一步減小晶體管的尺寸，從而創(chuàng)造出更小、性能更好的電子器件。對(duì)于硅來(lái)說(shuō)，芯片的最終厚度為2納米，因?yàn)槿绻穸容^小，芯片的表面在環(huán)境中很容易氧化，影響其電性能。由氧化鉬制成的芯片即使在三個(gè)原子的厚度下也能正常工作，并且材料的導(dǎo)電性穩(wěn)定可控。這個(gè)比例。

鉬的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是它的帶隙優(yōu)勢(shì)，這使得用它制成的芯片切換速度更快，能耗更低。以前的實(shí)驗(yàn)表明，單層氧化鉬制成的晶體管在穩(wěn)定狀態(tài)下比傳統(tǒng)的硅晶體管能耗低10萬(wàn)倍。此外，其獨(dú)特的機(jī)械性能輝鉬礦也使其成為一種柔性芯片材料。這種新材料將給未來(lái)的芯片帶來(lái)更多有趣的功能，如可根據(jù)用戶面部曲線彎曲的柔性計(jì)算機(jī)或手機(jī)。

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