單晶爐有哪些操作？

單晶爐進(jìn)行以下操作；
    1.清爐、裝爐：清洗整個(gè)爐室內(nèi)壁及加熱線圈、反射器、晶體夾持器、上軸、下軸，調(diào)整加熱線圈和反射器的水平及與上軸、下軸的對(duì)中；將多晶料夾具固定到多晶料尾部的刻槽處，然后將其舉返設(shè)備到上軸末端，進(jìn)行多晶料的對(duì)中；將籽晶裝入籽晶夾頭上，然后將其設(shè)備到下軸頂端；封閉各個(gè)爐門，擰緊各緊固螺栓； 
    2.抽空、充氣、預(yù)熱：打開真空泵及抽氣管道閥門，對(duì)爐室進(jìn)行抽真空，真空度到達(dá)所要求值時(shí)，封閉抽氣管道閥門及真空泵，向爐膛內(nèi)快速充入氬氣；當(dāng)充氣壓力到達(dá)相對(duì)壓力 1bar-6bar時(shí)，中止快速充氣，改用慢速充氣，一起打開排氣閥門進(jìn)行流氬；充氣完畢后，對(duì)多晶硅棒料進(jìn)行預(yù)熱，預(yù)熱運(yùn)用石墨預(yù)熱環(huán)，運(yùn)用電流檔，預(yù)熱設(shè)定點(diǎn)25-40％，預(yù)熱時(shí)間為10-20分鐘；     3.化料、引晶：預(yù)熱完畢后，進(jìn)行化料，化料時(shí)轉(zhuǎn)入電壓檔，發(fā)生器設(shè)定點(diǎn)在40-60％；多晶料熔化后，將籽晶與熔硅進(jìn)行熔接，熔接后對(duì)熔區(qū)進(jìn)行整形，引晶； 
    4.成長細(xì)頸：引晶完畢后，進(jìn)行細(xì)頸的成長，細(xì)頸的直徑在2-6mm，長度在30-60mm； 
    5.擴(kuò)肩及氮?dú)獾某淙耄杭?xì)頸成長完畢后，進(jìn)行擴(kuò)肩，緩慢削減下速至3±2mm/min，一起隨著擴(kuò)肩直徑的增大不斷削減下轉(zhuǎn)至8±4rpm，別的還要緩慢減小上轉(zhuǎn)至1±0.5rpm；為了避免高壓電離，在氬氣保護(hù)氣氛中充入必定份額的氮?dú)?，氮?dú)獾膿饺敕蓊~相對(duì)于氬氣的 0.01％-5％；
    6. 轉(zhuǎn)肩、堅(jiān)持及夾持器開釋：在擴(kuò)肩直徑與單晶堅(jiān)持直徑相差3-20mm時(shí)，擴(kuò)肩的速度要放慢一些，進(jìn)行轉(zhuǎn)肩，直至到達(dá)所需直徑，單晶堅(jiān)持，等徑堅(jiān)持直徑在75mm-220mm，單晶成長速度1mm/分-5mm/分，在擴(kuò)肩過程中，當(dāng)單晶的肩部單晶夾持器的銷子的距離小于2mm時(shí)開釋夾持器，將單晶夾??； 
    7.收尾、停爐：當(dāng)單晶拉至尾部，開始進(jìn)行收尾，收尾到單晶的直徑到達(dá)Φ10-80mm，將熔區(qū)擺開，這時(shí)使下軸持續(xù)向下運(yùn)動(dòng)，上軸改向上運(yùn)動(dòng)，一起功率堅(jiān)持在40±10％，對(duì)晶體進(jìn)行緩慢降溫。一種直拉單晶成長設(shè)備，歸于半導(dǎo)體成長設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。它包含液壓伺服系統(tǒng)調(diào)理坩堝桿；在加熱控制單元中，三相平衡變壓器、濾波電容器、電抗器和電阻器組合連接而成，與諧波源并聯(lián)；它還具有變頻充氣設(shè)備。本發(fā)明克服現(xiàn)有的坩堝軸升降驅(qū)動(dòng)設(shè)備不能有用的確保出產(chǎn)控制穩(wěn)定性及精確度不行精確缺乏，克服現(xiàn)有的加熱控制單元不能消除諧波的缺乏，一起也克服現(xiàn)有的坩堝軸升降驅(qū)動(dòng)設(shè)備不能有用的確保出產(chǎn)控制穩(wěn)定性及精確度不行精確缺乏。